在当今社会，几乎所有的电子设备，如电脑、手机、汽车和飞机，都需要芯片的支持。
芯片是什么，它是怎么的？
一个芯片，只是指甲盖那么大，可以是几十个平方毫米在空间中，运行数十亿个晶体管。
想要制造芯片，光刻机核心设备不能绕过。用紫外线去除晶圆表面的保护膜是光刻机。它是一种成像设备，可以将光源照射到设置的图像上，通过成像系统将电路图形准确复制到晶圆上，从而创建芯片所需的图形和功能区域。
原理很简单，关键是纳米级的准确性。就像原子弹爆炸的原理一样，它早已不是国家机密，但它真的制造了一个核弹，但是没那么容易。
制造光刻机有哪些困难？
首先是光源问题。
晶圆上刻有紫外光，对光源要求很高。
目前，世界上最先进的光刻机已达到3纳米。这里的3纳米是指节点技术的关键尺寸，是指网格的极长（gate length），也就是单晶管的长度。长度越小，可以布置在同一面积晶圆上的晶体管就越多。缩小栅极是提高设备开断频率的重要途径之一。高频率意味着芯片跑得更快。据说这种光刻机可以加工13 纳米线条。我们头发的直径大约是 50~70微米，换句话说，这种光刻机只能刻画头发直径1/5000的线条。
世界上最先进的光刻机是荷兰ASML公司极紫外光刻机的生产（EUV）。比起DUV光刻机，它把193nm用13代替短波紫外线.5nm极紫外线可将光刻技术扩展到32nm以下特征尺寸。
而EUV光刻机的光源来自美国Cymer，这个13.5nm极紫外线来自193nm短波紫外线反射多次得到。原因是这么说的，但是做起来太难了。美国的生产EUV光刻机光源公司是世界上唯一的公司，也就是说，除了他的家，没有人能生产。
没有光源，光刻机就不能工作。这就是垄断。
其次是反射镜。
在硅片以电路图的形式呈现，是制造芯片的关键部件。
ASML公司EUV德国光刻机的反射镜蔡司。
EUV多层膜反射镜是光学系统的重要组成部分EUV需要实现光源的关键技术EUV波段的高反射率。
三是工作台的精度。
光刻机工作台控制芯片在制造和生产过程中的纹路蚀刻。工作台的移动精度越高，加工后的芯片精度越高。
ASML公司的EUV光刻机工作台采用高精度激光干涉仪测量微动台的位移，构建闭环控制系统，实现纳米超精度同步运动。
在芯片制造过程中，不能通过一次曝光来完成。在制造过程中需要多次曝光，这意味着芯片制造过程中需要多次对准。芯片的每个部件之间只有几纳米的间隔，掩膜与硅晶圆对准误差必须控制在几纳米范围内。
ASML公司开发了双工作台，在完成扫描曝光的同时，还可以同时对准、调焦、下片等操作。
最后是耗电问题。
EUV光刻机耗电量很高，需要将整个工作环境抽真空，避免灰尘。EUV光刻机每小时至少耗电150度。这比挖比特币更贵！
我们自己的光刻机达到了什么水平？
ASML的EUV可使用13台光刻机.5nm极紫外光工程7nm、甚至3nm芯片。我国主要采用深紫外光193nm制程工艺，能做26nm芯片。据报道，上海微电子公司已攻克14nm光刻机不能尽快达到世界上最先进的光刻机水平，但我们可以在手机、汽车等民用领域和武器装备芯片上自给自足。
与ASML的EUV与光刻机相比，我们就像拿着一把盒尺来测量国际米原器的精度。可想而知，不打破技术壁垒是如此困难。
为了遏制我们，美国人在半导体不仅限制了领域的发展ASML出口给中国EUV光刻机，甚至使用深紫外线DUV对我国出口限制光刻机。ASML公司在EUV光刻机光源的供应受美国的限制，不得不停止为中国供应，但其销售急剧下降，损失巨大。虽然这次喊出来给我们供货，但只是恢复了DUV光刻机出口最好硬一点，直接加EUV光刻机，看美国人怎么指手画脚？
